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NXP Semiconductors
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
7. Characteristics
Table 10. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
-
-
-
-
5
12
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
V RWM = 5 V
V RWM = 12 V
-
-
0.3
<1
4
100
μ A
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
C d
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
diode capacitance
f = 1 MHz;
6.2
13.3
6.8
14.5
7.3
15.75
V
V
V R = 0 V
V CL
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
clamping voltage
[1]
-
-
480
160
530
180
pF
pF
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
I PP = 47 A
I PP = 25 A
I PP = 5 A
I PP = 22.5 A
I PP = 15 A
I PP = 5 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
19
13.5
9.8
27
23.5
19
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
I R = 5 mA
PESD5V0S1UJ
PESD12VS1UJ
-
-
2
5
100
100
?
?
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
[1]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
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